東北大学大学院 工学研究科
電子工学専攻 物性工学講座
東北大学 工学部 電気情報物理工学科



鷲尾・岡田研究室では半導体デバイスの研究を行っています。半導体は皆さんが使っている携帯電話、オーディオプレーヤー、あるいは車、ロボット等、あらゆる産業の心臓部に使われており、皆さんの生活を支えています。

我々の研究室は、来たるべきユビキタス・ネットワーク社会を支えるための新たな半導体技術を研究・開発し、より良い社会の実現を目指しています。


Our research

絶えず進化を続ける通信・ネットワーク・サービスは、徐々に分野の区別が曖昧になりクラウド(雲)の世界を迎えています。 DNAの解析からロケットの自動制御まで広範な応用分野の中核を担う半導体デバイスは、 ありとあらゆる社会インフラを支える縁の下の力持ちです。 この半導体に「ナノ・オーダーの異種材料薄膜」を加えることで、電子、光子、分子やスピンと呼ばれる情報を 伝える複数のメディアを自在に操れる機能融合デバイスを創生する研究に取り組んでいます。 このデバイスは医療、情報処理、生活基盤、通信ネットワークなどの幅広い分野でパラダイムシフト(時代の常識を覆すような科学革命)を 起こす芽になります。 当研究室では、半導体産業を牽引してきたシリコンに、異種材料であるゲルマニウムや カーボン Ⅱ-Ⅵ族系酸化物半導体、さらには遷移金属を加え、 複合系の超構造を利用して、柔軟な発想による新しいナノ薄膜の創生に関する研究を行っています。




Themes

Si(100)上のGe緩和結晶と自己組織的Ge量子ドット成長の研究

光通信などの機能を搭載した高機能半導体チップの創製を目指し、Si基板上へのGe薄膜と量子ドット成長の研究に取り組んでおります。光通信に用いられる化合物半導体とSiの中間程度の格子定数を持つGe緩和薄膜を利用し、Si半導体と化合物半導体の混載が実現できます。また、Ge量子ドットはSiプラットフォームにおける光配線向けの発光・受光デバイスとして利用できます。

遷移金属添加ZnO系材料の研究

バナジウムを添加したZnO薄膜に関する幅広い研究に取り組んでおります。バナジウム添加によるZnO透明導電薄膜の成長制御(ドメイン制御や非晶質化など)を中心に、フレキシブルフィルム上への透明導電膜形成や、蛍光体応用などについても研究しております。


Recent works

Ceramics International
43 (2017) 9267

Rapid synthesis of Zn3(VO4)2
phosphor film on quartz substrate
by RF magnetron sputtering and
rapid thermal processing
T. Kawashima and K. Washio

 


Phys. Status Solidi (c)
in press (2017)

"Formation and Strain Analysis
of Stacked Ge Quantum Dots With
Strain-Compensating Si1-xCx Spacer"
Y. Itoh et al.


IEEE T. Nanotechnol.
16(4) (2017) 595

"Control of Growth Modes
by Carbon Mediation in Formation
of Ge Quantum Dots on Si(100)"
Y. Itoh et al.


Mat. Sci. Semicond. Proc.
70 (2017) 229

"Effect of V doping on
initial growth of ZnO film
on c-face sapphire substrate"
T. Kanematsu et al.